第186章N-漂移层
高能离子注入这是对现代化集成芯片的要求
对于他来说,目前只要能将铝离子注入到碳化硅晶体中形成一个过渡层就足够了
而且他用的技术也并非纯正的离子注入,正如之前有弹幕说的
他使用的是离子掺杂,而且是离子掺杂中的‘渗透掺杂法’
第186章N-漂移层
[主咒]外挂是随机瞳术:高专时间线IF(28) 发表于 2022-03-16 02:44:00高能离子注入这是对现代化集成芯片的要求
我在哥谭过暑假:第95章 番外:混乱万圣节 发表于 2021-10-18 09:28:06对于他来说,目前只要能将铝离子注入到碳化硅晶体中形成一个过渡层就足够了
我在修仙界当up主:281.番外:身似行云流水 心如皓月清风(1w大章) 发表于 2021-12-02 20:00:37而且他用的技术也并非纯正的离子注入,正如之前有弹幕说的
工业之动力帝国:书友进来看一下 发表于 2019-08-03 19:46:10他使用的是离子掺杂,而且是离子掺杂中的‘渗透掺杂法’
我在绝地求生捡红包:第一千一百四十七章 圆满的人生(大结局) 发表于 2021-02-21 09:36:19